晶閘管是一種開關(guān)元件，能在高電壓、大電流條件下工作，并且其工作過程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中，是典型的小電流控制大電流的設(shè)備。可關(guān)斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控晶閘管。其主要特點為，當(dāng)門極加負向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關(guān)斷。
　　
　　可關(guān)斷晶閘管也屬于PNP四層三端結(jié)構(gòu)，其等效電路與普通晶閘管相同。盡管它與普通晶閘管在結(jié)構(gòu)和觸發(fā)導(dǎo)通原埋上相同，但兩者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式卻截然不同。普通晶閘管導(dǎo)通后欲使其關(guān)斷，必須使正向電流低于維持電流IH，或施加反問電壓強迫關(guān)斷。而可關(guān)斷晶閘管導(dǎo)通后欲使其關(guān)斷，只要在控制極上加負向觸發(fā)脈沖即可。這種關(guān)斷原理上的區(qū)別就在于晶閘管導(dǎo)通之后的飽和狀態(tài)不同。普通晶閘管在導(dǎo)通之后即處于深飽和狀態(tài)，而可關(guān)斷晶閘管導(dǎo)通后只處于臨界飽和狀態(tài)，所以只要給控制極上加上負向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。
　　
　　可關(guān)斷晶閘管的工作原理：
　　
　　由于GTO處于臨界飽和狀態(tài)，用抽走陽極電流的方法破壞臨界飽和狀態(tài)，能使器件關(guān)斷。而晶閘管導(dǎo)通之后，處于深度飽和狀態(tài)，用抽走陽極電流的方法不能使其關(guān)斷。
　　
　　存儲時間ts：對應(yīng)著從關(guān)斷過程開始，到陽極電流開始下降到90%IA為止的一段時間間隔。
　　
　　下降時間tf：對應(yīng)著陽極電流迅速下降，陽極電壓不斷上升和門極反電壓開始建立的過程。
　　
　　尾部時間tt：則是指從陽極電流降到極小值時開始，直到終達到維持電流為止的時間。