北京英飛凌IGBT模塊常使用在各種高功率電源與大電力馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。由于功率高，動(dòng)作電壓就會(huì)提高，因此1,000V上下的工作電壓并不少見(jiàn)。各個(gè)IGBT因時(shí)序分離，其閘級(jí)(Gate)與射級(jí)(Emitter)間工作偏壓都由獨(dú)立隔離變壓器所提供。此變壓器在動(dòng)作時(shí)，于一二次側(cè)之間會(huì)有一PWM切換之高頻高壓。一般變壓器常因使用者與生產(chǎn)者對(duì)線材本身的崩潰電壓與線間局部放電的起始電壓之差別沒(méi)有足夠認(rèn)識(shí)，造成未能進(jìn)行正確的絕緣能力要求、正確的絕緣設(shè)計(jì)及生產(chǎn)檢測(cè)，導(dǎo)致IGBT毀損或因高壓放電突波在數(shù)字端產(chǎn)生各式異常動(dòng)作。
 

　　變頻器是一種常用的節(jié)能省電的儀器，在很多行業(yè)中都有一定的應(yīng)用。變頻器在使用的時(shí)候?qū)τ谧冾l器的使用知識(shí)我們都需要了解。其中變頻器的IGBT的好壞對(duì)于變頻器來(lái)說(shuō)是非常重要的，關(guān)系著變頻器能否正常使用。
 

　　1.判斷晶閘管極性及好壞的方法
 

　　選擇指針萬(wàn)用表R×100Ω或R×1KΩ檔分別測(cè)量晶閘管的任兩個(gè)極之間的正反向電阻，其中一極與其他兩極之間的正反向電阻均為無(wú)窮大，則判定該極為陽(yáng)極(A)。然后選擇指針萬(wàn)用表的R×1Ω檔。黑表筆接晶閘管的陽(yáng)極(A)，紅表筆接晶閘管的其中一極假設(shè)為陰極(K)，另一極為控制極(G)。黑表筆不要離開(kāi)陽(yáng)極(A)同時(shí)觸擊控制極(G)，若萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)并站住，則判定晶閘管的假設(shè)極性陰極(K)和控制極(G)是正確的，且該晶閘管元件為好的晶閘管。若萬(wàn)用表指針不偏轉(zhuǎn)，顛倒晶閘管的假設(shè)極性再測(cè)量。若萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)并站住，則晶閘管的第二次假設(shè)極性為正確的，該晶閘管為好的晶閘管。否則為壞的晶閘管。
 

　　2.判斷北京英飛凌IGBT模塊極性及好壞的方法
 

　　判斷IGBT極性：選擇指針萬(wàn)用表R×100Ω或R×1KΩ檔分別測(cè)量IGBT的任兩個(gè)極之間的正反向電阻，其中一極與其他兩極之間的正反向電阻均為無(wú)窮大，則判定該極為IGBT的柵極(G)。測(cè)量另外兩極的正反向電阻，在正向電阻時(shí)，紅表筆接的為IGBT的集電極(C)，黑表筆接的為IGBT的發(fā)射極(E)
 

　　判斷IGBT好壞：選擇指針萬(wàn)用表的R×10KΩ檔。黑表筆接集電極(C)，紅表筆接發(fā)射極(E)，用手同時(shí)觸擊一下集電極(C)和控制極(G)。若萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)并站住，再用手同時(shí)觸擊一下發(fā)射極(E)和控制極(G)，萬(wàn)用表指針回零，則該IGBT為好的，否則為壞的IGBT。
 

　　功率模塊的好壞判斷主要是對(duì)功率模塊內(nèi)的續(xù)流兩極管的判斷.對(duì)于IGBT模塊我們還需判斷在有觸發(fā)電壓的情況下能否導(dǎo)通和關(guān)斷。
 

　　3.變頻器逆變器IGBT模塊檢測(cè)：
 

　　將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)艿蕉O管測(cè)試檔，測(cè)試IGBT模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與e1、e2之間正反向二極管特性，來(lái)判斷IGBT模塊是否完好。