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TOSHIBA東芝IGBT模塊MG75Q2YS50

TOSHIBA東芝IGBT模塊MG75Q2YS50

型    號： MG75Q2YS50
報    價： 999
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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

詳細(xì)資料：

北京京誠宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷售TOSHIBA東芝IGBT模塊MG75Q2YS50  東芝1200V；75A 2單元IGBT模塊

日本東芝 TOSHIBA IGBT 2單元600V系列：
MG25J2YS40MG50J2YS50MG50J2YS40MG50H2YS1
MG50BZ100MG75H2YS1MG75J2YS40MG75J2YS50
MG100J2YS40MG100J2YS41MG100J2YS50MG100H2ZS1
MG100G2YS1MG150J2YS50MG150J2YS40MG200J2YS50
MG200J2YS40MG300J2YS50MG300J2YS40MG400J2YS50
MG400J2YS40MG400J2YS60AMG600J2YS60AMG600J2YS60
MG600J2YS59MG800J2YS50A　

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