英飛凌IGBT模塊BSM300GA170DLC
| 型 號(hào)： | BSM300GA170DLC |
| 報(bào) 價(jià)： | 888 |
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
詳細(xì)資料：
北京京誠宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷售英飛凌IGBT模塊BSM300GA170DLC
英飛凌單管IGBT模塊BSM300GA170DLC
集電極—射極擊穿電壓: 1700 V
集電極—射極飽和電壓: 3.2 V
集電極zui大連續(xù)電流 Ic: 300 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 1.4 KW
封裝 / 箱體: IS5a ( 62 mm )
集電極—發(fā)射極zui大電壓 VCEO: 1200 V
柵極/發(fā)射極zui大電壓: 20 V
zui大工作溫度: + 125℃
zui小工作溫度: - 40℃
BSM200GA170DN2 200A/1700V/1U
BSM300GA120DN2 300A/1200V/1U
BSM300GA170DN2 300A/1700V/1U
BSM400GA120DN2 400A/1200V/1U
BSM400GA170DLC 400A/1700V/1U
BSM200GA120DLC 200A/1200V/1U
BSM200GA170DLC 200A/1700V/1U
BSM300GA120DLC 300A/1200V/1U
BSM300GA170DLC 300A/1700V/1U
